mos管無(wú)法關(guān)斷,一般MOS管在VGS=10時(shí)都已經(jīng)到狀態(tài)了,再提高電壓對減小導通電阻沒(méi)多大改善,反而降低了關(guān)斷速度,我不知道你示波器顯示的那個(gè)20V峰值的是不是VGS電壓本文介紹了MOSFET管關(guān)斷損耗的計算方式,供大家參考。 功率MOSFET的感性負載關(guān)斷過(guò)程和開(kāi)通過(guò)程一樣,有4個(gè)資源下載 場(chǎng)效應管 MOS VMOS MOSFET
圖中在拿掉Q2的情況下,XC6206的第3腳是不是應該0電位???LZ的圖,怎么才能把那個(gè) MOS管關(guān)斷?Q1打開(kāi)后,再關(guān)閉, Q2要怎么控制,才能關(guān)斷???減小R13,R14,R15MOS管的快速關(guān)斷原理還有是.R4的作用.也搞不懂.沒(méi)有R4.不是更加好么?正電壓來(lái)到不會(huì )分流走一些啊.?二極管可以快速導通?負電壓一到來(lái).二極管不導通
當A為3.3V的時(shí)候,柵極電壓大概為3.87V, 還是低于5V大概1V多,所以無(wú)法完全關(guān)斷MOS。處于半關(guān)斷的MOS,有一定的阻抗。 但是我把R17換成2K, 那么當A為3.3我的MOS是用來(lái)做保護板關(guān)斷的,內阻很小10mohm之內由于電池達到50V,所以一旦短路電流基本上千安培,所以,MOS管直接飽和了,在這種情況下,靠1K的電阻放
艾微電子專(zhuān)業(yè)供應mos管,電源管理IC/MOS管/EEPROM IC/音頻IC/運放IC等周邊IC.mos管供應價(jià)格在線(xiàn)詢(xún)價(jià),詳情咨詢(xún)!名稱(chēng):一種消除mos開(kāi)關(guān)管內二極管關(guān)斷損耗的簡(jiǎn)單方法 技術(shù)領(lǐng)域::本發(fā)明屬于電子技術(shù)中開(kāi)關(guān)電源,電子鎮流器技術(shù)。 背景技術(shù)::在半橋式變換器電路中電感線(xiàn)圈中的
總結:正常情況下,mos管關(guān)斷是先電壓上升到,然后電流在減小為0mos管導通是先電流上升到,然后電壓減小為零。誰(shuí)能不能幫我解釋下,這是為什么?,答案: 你是在圓圈位置斷開(kāi)的還是在方塊位置斷開(kāi)的,如果在方塊位置斷開(kāi)是不會(huì )截止的 如果在圓圈位置斷開(kāi)的仍無(wú)法關(guān)斷,可以嘗試短路G和S,再看看能否關(guān)斷 如果更多關(guān)于mos管無(wú)法關(guān)斷的問(wèn)題
我有以下兩個(gè)問(wèn)題:1.Vc為低電平的時(shí)候,M4和M6都已經(jīng)關(guān)斷了,他們所在的支路不存在到電源或gnd的通路了呀,為1.過(guò)快關(guān)斷MOS管是有壞處的,因為漏源dv/dt過(guò)高可能會(huì )產(chǎn)生振蕩,該表述是否正確? 2.如果上述說(shuō)法正確,使用圖中的二極管實(shí)現MOS管的快速關(guān)斷會(huì )不會(huì )出現問(wèn)
這是我的電路圖,本來(lái)是想做一個(gè)串聯(lián)電池的電阻均衡電路,左邊為電池輸入端,共3節電池串聯(lián),右邊為單片機GPIO的輸入端,通過(guò)輸出高電平來(lái)控制MOS管開(kāi)斷,從在項目中用到了N型mos和P型mosN型mos : AO3400P型mos : AO3401中間出現了不能關(guān)斷的癥狀,也在百度上找過(guò)答案,發(fā)現大家都覺(jué)得是電路問(wèn)題,我一開(kāi)始也認
我們很多電力電子應用中,mos管驅動(dòng)電阻兩端都會(huì )反并一個(gè)二極管,目的是為了加速關(guān)斷,那么問(wèn)題來(lái)了,我們知道mos管的開(kāi)通損耗并不一定比關(guān)斷損耗小,為什MOS管的快速關(guān)斷原理 R4是Q1的導通電阻沒(méi)有Q1沒(méi)有安裝的必要了,當低電位來(lái)時(shí)Q1為瀉 MOS管的加速關(guān)斷原理還有是.R4的作用.也搞不懂.沒(méi)。 看
mos管無(wú)法關(guān)斷,我在用TI的LM5116降壓芯片做一30V輸入,12V3A輸出規格的電源時(shí),測試時(shí)發(fā)現同步整流MOS管G極的驅動(dòng)波形關(guān)斷的時(shí)候回出現一很高的震蕩波形,請忙忙分析下波形產(chǎn)生的原功率MOSFET的關(guān)斷過(guò)程與開(kāi)通過(guò)程相反,如圖3所示。 在特性分析MOSFET開(kāi)通過(guò)程,解釋米勒平臺區,柵極電壓不集電極電流和放大倍數,而MOSFET管使用柵
mos管無(wú)法關(guān)斷,做兩個(gè)項目,傳感器測試儀和電機測試儀,cortexA8架構,Android操作系統,手持外形設計。 硬件做到硬件調試階段,MOS管無(wú)法關(guān)閉問(wèn)題調了2天也沒(méi)解決,一給出了在關(guān)斷后電壓VDS 產(chǎn)生上沖,并超過(guò)電壓VDD,造成的主要原因是換流電路內的寄生感應電感和MOSFET 在關(guān)閉時(shí)增加的電流變換率dic/dt。同MOSFET 一樣,當晶體管
